IRG4BC20KDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 60 Вт
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 60 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 60 Вт
Артикул:
IRG4BC20KDPBF
Производитель:
Документы:
Описание IRG4BC20KDPBF
Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
| Технология/семейство | gen4 |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 16 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 32 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 60 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 54 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 180 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | TO-220AB |
| Структура | n-канал+диод |
| Управляющее напряжение,В | 6 |
| Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара