STW45NM60, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 45A
Код товара: 242765
Цена от:
918,19 руб.
-
8+ 13+ 26+992,64 ₽ 976,09 ₽ 918,19 ₽Срок:6 днейНаличие:50Минимум:Мин: 8Количество в заказ
Технические параметры
Описание STW45NM60
MOSFET, N, TO-247; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 600V; Current, Id Cont: 45A; Resistance, Rds On: 0.11ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 4V; Case Style: TO-247; Termination Type: Through Hole; Case Style, Alternate: SOT-249; Charge, Gate N-channel: 134nC; Current, Idm Pulse: 180A; Pins, No. of: 3; Power, Pd: 417W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V: 0.11ohm; Temperature, Tj Max: 150°C; Temperature, Tj Min: -55°C; Transistors, No. of: 1; Voltage, Rds Measurement: 10V; Voltage, Vds: 650V; Voltage, Vds Max: 650V; Voltage, Vgs Rds N Channel: 10V; Voltage, Vgs th Min: 3V
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 45 А, Сопротивление открытого канала (мин) 110 мОм
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 45 А |
Тип корпуса | TO-247 |
Максимальное рассеяние мощности | 417 Вт |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Ширина | 5.15мм |
Высота | 20.15мм |
Размеры | 15.75 x 5.15 x 20.15мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 15.75мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 30 нс |
Производитель | STMicroelectronics |
Серия | MDmesh |
Минимальная рабочая температура | -65 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5 |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 110 мΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 600 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 96 нКл при 10 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 3800 пФ при 25 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
Вес, г | 7.5 |