STQ1NK60ZR-AP, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 0.3 А
Код товара: 242416
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STQ1NK60ZR-AP
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
Тип упаковки:
Amunition Pack (лента в коробке)
Нормоупаковка:
2000 шт.
Корпус:
TO92-3
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
15 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
24,89 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание STQ1NK60ZR-AP
The STQ1NK60ZR-AP is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.
• 100% Avalanche tested
• Extremely high dV/dt capability
| Вес, г | 0.3 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
CD00003347.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка STQ1NK60ZR-AP , Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 0.3 А
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара