STD10P6F6, Транзистор полевой P-канальный 60В 10A
MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Транзистор полевой P-канальный 60В 10A
Транзистор полевой P-канальный 60В 10A
Артикул:
STD10P6F6
Производитель:
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDPAK/TO-252AA
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка2500 шт.
-
Вес брутто0.6 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание STD10P6F6
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 10 A |
Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
Максимальное рассеяние мощности | 30 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 7.45мм |
Высота | 2.38мм |
Размеры | 6.6 x 7.45 x 2.38мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 6.6мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 64 нс |
Производитель | STMicroelectronics |
Типичное время задержки выключения | 14 нс |
Серия | STripFET |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 160 мΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 6.4 nC @ 10 V |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 340 пФ при -48 В |
Тип канала | A, P, WRU |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Прямое напряжение диода | 1.1V |
Вес, г | 0.4 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара