SIS890DN-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 30 А

Код товара: 232751

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIS890DN-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт.
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
23.5 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

100В

Ток стока макс.

30A

Сопротивление открытого канала

23.5 мОм

Мощность макс.

52Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

29нКл

Входная емкость

802пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

PowerPAKВ® 1212-8

Описание SIS890DN-T1-GE3

Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 30 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SIS890DN-T1-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 30 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.