SIS410DN-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 35A

Код товара: 232739

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIS410DN-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
4.8 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

20В

Ток стока макс.

35A

Сопротивление открытого канала

4.8 мОм

Мощность макс.

52Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

2.5В

Заряд затвора

41нКл

Входная емкость

1600пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

PowerPAKВ® 1212-8

Описание SIS410DN-T1-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 35A

Способы доставки в Калининград

Доставка SIS410DN-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 35A в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2224
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
Почта России
от 12 раб. дней
от 720
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.