SIRA04DP-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А

Код товара: 232733

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIRA04DP-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт.
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
2.15 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

30В

Ток стока макс.

40A

Сопротивление открытого канала

2.15 мОм

Мощность макс.

62.5Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

2.2В

Заряд затвора

77нКл

Входная емкость

3595пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

PowerPAKВ® SO-8

Описание SIRA04DP-T1-GE3

Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SIRA04DP-T1-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.