SIRA00DP-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А

Код товара: 232731

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIRA00DP-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт.
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
1 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

30В

Ток стока макс.

100A

Сопротивление открытого канала

1 мОм

Мощность макс.

104Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

2.2В

Заряд затвора

220нКл

Входная емкость

11700пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

PowerPAKВ® SO-8

Описание SIRA00DP-T1-GE3

Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SIRA00DP-T1-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.