SIR836DP-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 21 А

Код товара: 232717

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIR836DP-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт.
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
15.6Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

40В

Ток стока макс.

21A

Сопротивление открытого канала

19 мОм

Мощность макс.

15.6Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

2.5В

Заряд затвора

18нКл

Входная емкость

600пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

PowerPAKВ® SO-8

Описание SIR836DP-T1-GE3

Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 21 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SIR836DP-T1-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 21 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.