SIR462DP-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 30В 30A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Транзистор полевой N-канальный 30В 30A
Транзистор полевой N-канальный 30В 30A
Артикул:
SIR462DP-T1-GE3
Производитель:
Документы:
Технические параметры
-
КорпусPowerPAKВ® SO-8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание SIR462DP-T1-GE3
The SIR462DP-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high-side switch, server, VRM, POL and DC-to-DC conversion applications.
• 100% Rg tested
• 100% UIS tested
• Halogen-free
• -55 to 150°C Operating temperature range
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 19 А |
| Тип корпуса | PowerPAK SO |
| Максимальное рассеяние мощности | 4,8 Вт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Ширина | 5.89мм |
| Высота | 1.04мм |
| Размеры | 4.9 x 5.89 x 1.04мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 4.9мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 20 ns |
| Производитель | Vishay |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 8 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 20 нКл при 10 В, 8,8 нКл при 4,5 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1155 пФ при 15 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.223 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара