SIR462DP-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 30В 30A
Код товара: 232704
Цена от:
75,96 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание SIR462DP-T1-GE3
The SIR462DP-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high-side switch, server, VRM, POL and DC-to-DC conversion applications.
• 100% Rg tested
• 100% UIS tested
• Halogen-free
• -55 to 150°C Operating temperature range
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 19 А |
Тип корпуса | PowerPAK SO |
Максимальное рассеяние мощности | 4,8 Вт |
Тип монтажа | Surface Mount |
Ширина | 5.89мм |
Высота | 1.04мм |
Размеры | 4.9 x 5.89 x 1.04мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 4.9мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 20 ns |
Производитель | Vishay |
Типичное время задержки выключения | 25 ns |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 8 mΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
Число контактов | 8 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 20 нКл при 10 В, 8,8 нКл при 4,5 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 1155 пФ при 15 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Вес, г | 0.223 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка SIR462DP-T1-GE3 , Транзистор полевой N-канальный 30В 30A
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара