SIR402DP-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 35 А

Код товара: 232692

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIR402DP-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт.
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

30В

Ток стока макс.

35A

Сопротивление открытого канала

6 мОм

Мощность макс.

36Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

2.2В

Заряд затвора

42нКл

Входная емкость

1700пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

PowerPAKВ® SO-8

Описание SIR402DP-T1-GE3

Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 35 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SIR402DP-T1-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 35 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.