SIHU3N50D-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А

Код товара: 232667

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIHU3N50D-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
1 шт.
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.2 Ом
Мощность макс.:
69Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

500В

Ток стока макс.

3A

Сопротивление открытого канала

3.2 Ом

Мощность макс.

69Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

12нКл

Входная емкость

175пФ

Тип монтажа

Through Hole

Корпус

TO-251

Вес брутто

0.7 г.

Описание SIHU3N50D-GE3

Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SIHU3N50D-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.