SIHD5N50D-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А

Код товара: 232614

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIHD5N50D-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
1 шт.
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

500В

Ток стока макс.

5.3A

Сопротивление открытого канала

1.5 Ом

Мощность макс.

104Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

20нКл

Входная емкость

325пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DPAK/TO-252AA

Описание SIHD5N50D-GE3

Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SIHD5N50D-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 802
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2299
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.