SIHD3N50D-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А

Код товара: 232613

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIHD3N50D-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
1 шт.
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.2 Ом
Мощность макс.:
69Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

500В

Ток стока макс.

3A

Сопротивление открытого канала

3.2 Ом

Мощность макс.

69Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

12нКл

Входная емкость

175пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DPAK/TO-252AA

Описание SIHD3N50D-GE3

Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SIHD3N50D-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.