SIHB33N60E-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 33 А

Код товара: 232611

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIHB33N60E-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Тип упаковки:
Bulk (россыпь)
Нормоупаковка:
1 шт.
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
99 мОм
Мощность макс.:
278Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

600В

Ток стока макс.

33A

Сопротивление открытого канала

99 мОм

Мощность макс.

278Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

150нКл

Входная емкость

3508пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

D2PAK/TO263

Описание SIHB33N60E-GE3

Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 33 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SIHB33N60E-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 33 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.