SIHB12N60E-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12A

Код товара: 232603

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIHB12N60E-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Тип упаковки:
Bulk (россыпь)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

600В

Ток стока макс.

12A

Сопротивление открытого канала

380 мОм

Мощность макс.

147Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

58нКл

Входная емкость

937пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

D2Pak (TO-263)

Вес брутто

1.35 г.

Описание SIHB12N60E-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12A

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SIHB12N60E-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12A в город Калининград
Boxberry
от 15 раб. дней
от 635
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2224
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
Почта России
от 10 раб. дней
от 720
СДЭК
от 5 раб. дней
от 747
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.