SIHB12N60E-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 12 А

Код товара: 232603

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIHB12N60E-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Тип упаковки:
Bulk (россыпь)
Нормоупаковка:
50 шт.
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

600В

Ток стока макс.

12A

Сопротивление открытого канала

380 мОм

Мощность макс.

147Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

58нКл

Входная емкость

937пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

D2PAK/TO263

Вес брутто

1.2 г.

Описание SIHB12N60E-GE3

Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 12 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SIHB12N60E-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 12 А в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.