SIA429DJT-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А

Код товара: 232561

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIA429DJT-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт.
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
20.5 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

20В

Ток стока макс.

12A

Сопротивление открытого канала

20.5 мОм

Мощность макс.

19Вт

Тип транзистора

P-канал

Особенности

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

62нКл

Входная емкость

1750пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Описание SIA429DJT-T1-GE3

Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SIA429DJT-T1-GE3 , Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 899
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 796
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2299
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.