SIA416DJ-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 11.3 А

Код товара: 232558

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIA416DJ-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт.
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
11.3A
Сопротивление открытого канала:
83 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

100В

Ток стока макс.

11.3A

Сопротивление открытого канала

83 мОм

Мощность макс.

19Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

10нКл

Входная емкость

295пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Описание SIA416DJ-T1-GE3

Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 11.3 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SIA416DJ-T1-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 11.3 А в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.