SI9435BDY-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.1A
Код товара: 232549
Цена от:
40,00 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание SI9435BDY-T1-E3
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | NRND |
HTS | 8541.29.00.95 |
Product Category | Power MOSFET |
Process Technology | TrenchFET |
Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 4.1 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 42@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 16@10V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 16 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
Typical Fall Time (ns) | 30 |
Typical Rise Time (ns) | 14 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 42 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Pin Count | 8 |
Supplier Package | SOIC N |
Standard Package Name | SOP |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 1.55(Max) |
Package Length | 5(Max) |
Package Width | 4(Max) |
PCB changed | 8 |
Lead Shape | Gull-wing |
Вес, г | 0.15 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
SI9435BDY-T1-GE3 Полный аналог
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.1A
Способы доставки в Калининград
Доставка SI9435BDY-T1-E3 , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.1A
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара