SI8812DB-T2-E1, Полевой транзистор, N-канальный, 20 В

Код товара: 232537

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI8812DB-T2-E1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
1 шт.
Корпус:
Microfoot4
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Сопротивление открытого канала:
59 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

20В

Сопротивление открытого канала

59 мОм

Мощность макс.

500мВт

Тип транзистора

N-канальный

Особенности

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

17нКл

Тип монтажа

Surface Mount

Описание SI8812DB-T2-E1

Полевой транзистор, N-канальный, 20 В

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SI8812DB-T2-E1 , Полевой транзистор, N-канальный, 20 В в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.