SI7850DP-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.2A

Код товара: 232504

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI7850DP-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

60В

Ток стока макс.

6.2A

Сопротивление открытого канала

22 мОм

Мощность макс.

1.8Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

27нКл

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

PowerPAKВ® SO-8

Описание SI7850DP-T1-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.2A

Аналоги и возможные замены

SI7850DP-T1-E3 Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.2A Производитель: Vishay

Способы доставки в Калининград

Доставка SI7850DP-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.2A в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.