SI7460DP-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 11 А

Код товара: 232473

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI7460DP-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт.
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
9.6 мОм
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

60В

Ток стока макс.

11A

Сопротивление открытого канала

9.6 мОм

Мощность макс.

1.9Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

100нКл

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

PowerPAKВ® SO-8

Описание SI7460DP-T1-GE3

Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 11 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SI7460DP-T1-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 11 А в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.