SI5513CDC-T1-GE3, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А

Код товара: 232408

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI5513CDC-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт.
Корпус:
ChipFET8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
4 А, 3.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт

Технические параметры

Тип транзистора

N/P-канальный

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Маскимальный ток стока

4 А, 3.7 А

Максимальная рассеиваемая мощность

3.1 Вт

Описание SI5513CDC-T1-GE3

Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

SI5513CDC-T1-E3 Полный аналог Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А Производитель: Vishay

Способы доставки в Калининград

Доставка SI5513CDC-T1-GE3 , Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.