SI4963BDY-T1-GE3, Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.9 А

Код товара: 232394

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI4963BDY-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
1 шт.
Корпус:
SOIC8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
20 В
Маскимальный ток стока:
4.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт

Технические параметры

Тип транзистора

2P-канальный

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Маскимальный ток стока

4.9 А

Максимальная рассеиваемая мощность

1.1 Вт

Корпус

SOIC8

Вес брутто

0.2 г.

Описание SI4963BDY-T1-GE3

Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.9 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

SI4963BDY-T1-E3 Полный аналог Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.9 А Производитель: Vishay

Способы доставки в Калининград

Доставка SI4963BDY-T1-GE3 , Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.9 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.