SI4464DY-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А

Код товара: 232322

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI4464DY-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт.
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
240 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

200В

Ток стока макс.

1.7A

Сопротивление открытого канала

240 мОм

Мощность макс.

1.5Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

18нКл

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOIC8

Вес брутто

0.2 г.

Описание SI4464DY-T1-GE3

Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

SI4464DY-T1-E3 Полный аналог Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А Производитель: Vishay

Способы доставки в Калининград

Доставка SI4464DY-T1-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.