SI4160DY-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 25.4 А

Код товара: 232278

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI4160DY-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт.
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
25.4A
Сопротивление открытого канала:
4.9 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

30В

Ток стока макс.

25.4A

Сопротивление открытого канала

4.9 мОм

Мощность макс.

5.7Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

2.4В

Заряд затвора

54нКл

Входная емкость

2071пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOIC8

Вес брутто

0.2 г.

Описание SI4160DY-T1-GE3

Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 25.4 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SI4160DY-T1-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 25.4 А в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.