SI4100DY-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.8 А

Код товара: 232264

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI4100DY-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт.
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.8A
Сопротивление открытого канала:
63 мОм
Мощность макс.:
6Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

100В

Ток стока макс.

6.8A

Сопротивление открытого канала

63 мОм

Мощность макс.

6Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

4.5В

Заряд затвора

20нКл

Входная емкость

600пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOIC8

Вес брутто

0.2 г.

Описание SI4100DY-T1-GE3

Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.8 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

SI4100DY-T1-E3 Полный аналог Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.8 А Производитель: Vishay

Способы доставки в Калининград

Доставка SI4100DY-T1-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.8 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.