SI3460DDV-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 7.9 А

Код товара: 232249

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI3460DDV-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт.
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
7.9A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

20В

Ток стока макс.

7.9A

Сопротивление открытого канала

28 мОм

Мощность макс.

2.7Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

18нКл

Входная емкость

666пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOT-23-6

Описание SI3460DDV-T1-GE3

Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 7.9 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SI3460DDV-T1-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 7.9 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.