SI2365EDS-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.9 А

Код товара: 232220

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI2365EDS-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт.
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.9A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
P-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

20В

Ток стока макс.

5.9A

Сопротивление открытого канала

32 мОм

Мощность макс.

1.7Вт

Тип транзистора

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

36нКл

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOT23-3

Описание SI2365EDS-T1-GE3

Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.9 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SI2365EDS-T1-GE3 , Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.9 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.