SI2325DS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА

Код товара: 232209

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI2325DS-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT-23
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
530мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
P-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

150В

Ток стока макс.

530мА

Сопротивление открытого канала

1.2 Ом

Мощность макс.

750мВт

Тип транзистора

P-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

4.5В

Заряд затвора

12нКл

Входная емкость

510пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOT-23-3 (TO-236)

Описание SI2325DS-T1-GE3

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

SI2325DS-T1-E3 Полный аналог Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА Производитель: Vishay

Способы доставки в Калининград

Доставка SI2325DS-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.