SI2323DS-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7А 1.25Вт

Код товара: 232206

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI2323DS-T1-E3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
P-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

20В

Ток стока макс.

3.7A

Сопротивление открытого канала

39 мОм

Мощность макс.

750мВт

Тип транзистора

P-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

19нКл

Входная емкость

1020пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOT-23

Вес брутто

0.06 г.

Описание SI2323DS-T1-E3

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

Структураp-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В-20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-5.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.039 ом при-4.1a, -4.5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.75
Крутизна характеристики, S16
Корпусsot23
Вес, г0.05

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

SI2323 Функциональный аналог Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4A Производитель: Hottech Co. Ltd
Наличие:
2 951 шт

Под заказ:
2 413 шт
Цена от:
от 3,75

Способы доставки в Калининград

Доставка SI2323DS-T1-E3 , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7А 1.25Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.