SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт
Артикул:
SI2319CDS-T1-GE3
Производитель:
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT-23
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.04 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание SI2319CDS-T1-GE3
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Length | 3.04mm |
Transistor Configuration | Single |
Brand | Vishay |
Maximum Continuous Drain Current | 4.4 A |
Package Type | SOT-23 |
Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
Mounting Type | Surface Mount |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Width | 1.4mm |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
Height | 1.02mm |
Maximum Drain Source Resistance | 108 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
Pin Count | 3 |
Typical Gate Charge @ Vgs | 13.6 nC @ 10 V |
Transistor Material | Si |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Вес, г | 0.05 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара