SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт

Код товара: 232203

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI2319CDS-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

40В

Ток стока макс.

4.4A

Сопротивление открытого канала

77 мОм

Мощность макс.

2.5Вт

Тип транзистора

P-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

2.5В

Заряд затвора

21нКл

Входная емкость

595пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOT-23

Вес брутто

0.04 г.

Описание SI2319CDS-T1-GE3

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

Maximum Operating Temperature+150 °C
Number of Elements per Chip1
Length3.04mm
Transistor ConfigurationSingle
BrandVishay
Maximum Continuous Drain Current4.4 A
Package TypeSOT-23
Maximum Power Dissipation2.5 W
Mounting TypeSurface Mount
Minimum Operating Temperature-55 °C
Width1.4mm
Minimum Gate Threshold Voltage1.2V
Height1.02mm
Maximum Drain Source Resistance108 mΩ
Maximum Drain Source Voltage40 V
Pin Count3
Typical Gate Charge @ Vgs13.6 nC @ 10 V
Transistor MaterialSi
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Вес, г0.05

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SI2319CDS-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.