SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт
Цена от:
18,18 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 127+ 253+ 506+ 1011+25,80 ₽ 23,10 ₽ 21,12 ₽ 19,56 ₽ 18,18 ₽Срок:В наличииНаличие:6 320Минимум:12Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 127+ 253+ 506+ 1011+25,80 ₽ 23,10 ₽ 21,12 ₽ 19,56 ₽ 18,18 ₽Срок:В наличииНаличие:25Минимум:2Количество в заказ
Внешние склады
-
724+ 1051+ 15736+21,06 ₽ 20,58 ₽ 20,04 ₽Срок:26 днейНаличие:15 736Минимум:Мин: 724Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание SI2319CDS-T1-GE3
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 3.04mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | Vishay |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.4 A |
| Package Type | SOT-23 |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 1.4mm |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Height | 1.02mm |
| Maximum Drain Source Resistance | 108 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Pin Count | 3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13.6 nC @ 10 V |
| Transistor Material | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Вес, г | 0.05 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка SI2319CDS-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 351 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2462 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара