SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт
Код товара: 232203
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SI2319CDS-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Цена от:
23,45 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание SI2319CDS-T1-GE3
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 3.04mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | Vishay |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.4 A |
| Package Type | SOT-23 |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 1.4mm |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Height | 1.02mm |
| Maximum Drain Source Resistance | 108 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Pin Count | 3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13.6 nC @ 10 V |
| Transistor Material | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Вес, г | 0.05 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
si2319cd.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка SI2319CDS-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара