SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 5.6А 1.25Вт
Код товара: 232202
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SI2318CDS-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
18,86 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание SI2318CDS-T1-GE3
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 3.04mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | Vishay |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.6 A |
| Package Type | SOT-23 |
| Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 1.4mm |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Height | 1.02mm |
| Maximum Drain Source Resistance | 51 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Pin Count | 3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.8 nC @ 10 V |
| Transistor Material | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Вес, г | 0.05 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
si2318cd.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка SI2318CDS-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 5.6А 1.25Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара