SI2312BDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A

Код товара: 232198

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI2312BDS-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

20В

Ток стока макс.

3.9A

Сопротивление открытого канала

31 мОм

Мощность макс.

750мВт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

850mВ

Заряд затвора

12нКл

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOT23-3

Вес брутто

0.04 г.

Описание SI2312BDS-T1-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

Акция SI2312BDS-T1-E3 Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A Производитель: Vishay

Способы доставки в Калининград

Доставка SI2312BDS-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.