SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3А 1.66Вт
Код товара: 232195
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SI2308BDS-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
156 мОм
Мощность макс.:
1.66Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
22,63 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание SI2308BDS-T1-GE3
The SI2308BDS-T1-GE3 is a N-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.
• 100% Rg Tested
• 100% UIS Tested
• ±20V Gate-source voltage
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.192 ом при 1.7a, 4.5в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.66 |
| Крутизна характеристики, S | 5 |
| Корпус | sot23 |
| Вес, г | 0.05 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
si2308bd.pdfАналоги и возможные замены
SI2308BDS-T1-E3 Полный аналог
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3A
Способы доставки в Калининград
Доставка SI2308BDS-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3А 1.66Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара