SI2302CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт

Код товара: 232181

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI2302CDS-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
57 мОм
Мощность макс.:
710мВт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

20В

Ток стока макс.

2.6A

Сопротивление открытого канала

57 мОм

Мощность макс.

710мВт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

850mВ

Заряд затвора

5.5нКл

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOT-23

Вес брутто

0.04 г.

Описание SI2302CDS-T1-GE3

The SI2302CDS-T1-GE3 is a 20V N-channel TrenchFET® power MOSFET for use in load switching for portable devices.

• ±8V Gate to source voltage

EU RoHSCompliant
ECCN (US)EAR99
Part StatusActive
HTS8541.29.00.95
Product CategoryPower MOSFET
ConfigurationSingle
Process TechnologyTrenchFET
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage (V)20
Maximum Gate Source Voltage (V)±8
Maximum Gate Threshold Voltage (V)0.85
Maximum Continuous Drain Current (A)2.6
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Maximum IDSS (uA)0.1
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)57@4.5V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)3.5@4.5V
Typical Gate to Drain Charge (nC)0.45
Typical Gate to Source Charge (nC)0.6
Typical Reverse Recovery Charge (nC)2
Typical Output Capacitance (pF)40
Maximum Power Dissipation (mW)710
Typical Fall Time (ns)7
Typical Rise Time (ns)7
Typical Turn-Off Delay Time (ns)30
Typical Turn-On Delay Time (ns)8
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Operating Temperature (°C)150
PackagingTape and Reel
AutomotiveNo
Pin Count3
Supplier PackageSOT-23
Standard Package NameSOT-23
MilitaryNo
MountingSurface Mount
Package Height1.02(Max)
Package Length3.04(Max)
Package Width1.4(Max)
PCB changed3
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.05

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

Акция SI2302CDS-T1-E3 Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт Производитель: Vishay

Способы доставки в Калининград

Доставка SI2302CDS-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.