SGP02N120XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт
Код товара: 232100
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SGP02N120XKSA1
Производитель:
Описание Eng:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Нормоупаковка:
500 шт
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
6.2A
Макс. рассеиваемая мощность:
62W
Цена от:
509,22 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание SGP02N120XKSA1
Infineon Discrete IGBT Transistors
Discrete IGBT transistors from Infineon offer various technologies such as NPT, Trenchstop™ and Fieldstop. They can be used in many applications that may require hard or soft switching including Industrial drives, UPS, Inverters, home appliances and Induction cooking. Some devices include an anti-parallel diode or monolithically integrated diode.
| Технология/семейство | npt |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 6.2 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 9.6 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 62 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 23 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 260 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | pg-to-220-3-1 |
| Структура | n-канал |
| Управляющее напряжение,В | 4 |
| Дополнительные опции | выдерживает 10мкс кз |
| Вес, г | 2.5 |
Способы доставки в Калининград
Доставка SGP02N120XKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара