SGD02N120BUMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт
Артикул:
SGD02N120BUMA1
Производитель:
Технические параметры
-
КорпусDPAK/TO-252AA
-
Нормоупаковка2500 шт.
-
Вес брутто0.6 г.
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара