SGB07N120ATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт
IGBT Chip N-CH 1200V 16.5A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт
Артикул:
SGB07N120ATMA1
Производитель:
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара