SGB07N120ATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт

Код товара: 232085

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SGB07N120ATMA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 1200V 16.5A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Нормоупаковка:
1000 шт.
Корпус:
D2PAK/TO263
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
16.5A
Макс. рассеиваемая мощность:
125W

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

1200V

Макс. ток коллектора

16.5A

Макс. рассеиваемая мощность

125W

Корпус

D2PAK/TO263

Вес брутто

1.2 г.

Описание SGB07N120ATMA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт

Способы доставки в Калининград

Доставка SGB07N120ATMA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.