RFD16N06LESM9A, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 16 А

Код товара: 230156

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
RFD16N06LESM9A
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт.
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

60В

Ток стока макс.

16A

Сопротивление открытого канала

47 мОм

Мощность макс.

90Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

62нКл

Входная емкость

1350пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DPAK/TO-252AA

Описание RFD16N06LESM9A

Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 16 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка RFD16N06LESM9A , Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 16 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.