NTD6414ANT4G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A
Код товара: 224455
Цена от:
98,18 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание NTD6414ANT4G
The NTD6414ANT4G is a N-channel Power MOSFET offers 100V drain source voltage and 32A continuous drain current.
• Lower RDS (ON)
• High current capability
• 100% Avalanche tested
• -55 to 175°C Operating junction temperature range
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 32 А |
Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
Максимальное рассеяние мощности | 100 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 6.22мм |
Высота | 2.38мм |
Размеры | 6.73 x 6.22 x 2.38мм |
Материал транзистора | SI |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 6.73мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 11 ns |
Производитель | ON Semiconductor |
Типичное время задержки выключения | 38 нс |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 37 mΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 40 nC @ 10 V |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 1450 pF @ 25 V |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Вес, г | 0.401 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка NTD6414ANT4G , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара