MJD31T4G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А

Код товара: 219157

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MJD31T4G
Производитель:
Описание Eng:
TRANS NPN 40V 3A DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10

Технические параметры

Тип транзистора

NPN

Напряжение Колл-Эмитт. Макс

40 В

Ток коллектора Макс.

3 А

Мощность Макс.

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE

10

Тип монтажа

Поверхностный

Граничная частота

3 МГц

Корпус

DPAK-3

Описание MJD31T4G

Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

MJD31CT4 Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А, 15 Вт Производитель: ST Microelectronics
Наличие:
150 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 31,12
Акция MJD31CT4G Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor
MJD31CRLG Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor
MJD31CQ-13 Полный аналог Транзистор биполярный NPN 100В 3A DPAK Производитель: Diodes Incorporated
MJD31CG Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor
MJD31CTF Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Калининград

Доставка MJD31T4G , Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.