MJD122G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А

Код товара: 219131

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MJD122G
Производитель:
Описание Eng:
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
75 шт
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000

Технические параметры

Тип транзистора

NPN, составной

Напряжение Колл-Эмитт. Макс

100 В

Ток коллектора Макс.

8 А

Мощность Макс.

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE

1000

Тип монтажа

Поверхностный

Граничная частота

4 МГц

Корпус

DPAK-3

Описание MJD122G

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

MJD122T4 Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ST Microelectronics
Наличие:
776 шт

Под заказ:
1 785 шт
Цена от:
от 49,49
MJD122T4G Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor
MJD122TF Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Калининград

Доставка MJD122G , Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.