MJD117T4G, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Код товара: 219129

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MJD117T4G
Производитель:
Описание Eng:
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000

Технические параметры

Тип транзистора

PNP, составной

Напряжение Колл-Эмитт. Макс

100 В

Ток коллектора Макс.

2 А

Мощность Макс.

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE

1000

Тип монтажа

Поверхностный

Граничная частота

25 МГц

Корпус

DPAK-3

Вес брутто

0.42 г.

Описание MJD117T4G

Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

MJD117T4 Полный аналог Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт Производитель: ST Microelectronics
Наличие:
2 106 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 45,05
MJD117G Полный аналог Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Калининград

Доставка MJD117T4G , Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.