MJD112T4G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А
Код товара: 219125
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
MJD112T4G
Производитель:
Описание Eng:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Цена от:
21,88 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание MJD112T4G
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
MJD112-D.PDFАналоги и возможные замены
MJD112T4 Полный аналог
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт
Наличие:
700 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 54,82₽
MJD112RLG Полный аналог
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А
MJD112G Полный аналог
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт
Способы доставки в Калининград
Доставка MJD112T4G , Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара