MJD112G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт

Код товара: 219122

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MJD112G
Производитель:
Описание Eng:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
75 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000

Технические параметры

Тип транзистора

NPN, составной

Напряжение Колл-Эмитт. Макс

100 В

Ток коллектора Макс.

2 А

Мощность Макс.

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE

1000

Тип монтажа

Поверхностный

Граничная частота

25 МГц

Корпус

DPAK/TO-252AA

Вес брутто

0.67 г.

Описание MJD112G

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

MJD112T4 Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт Производитель: ST Microelectronics
Наличие:
700 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 54,82
MJD112RLG Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor
MJD112T4G Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Калининград

Доставка MJD112G , Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.