MJB45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А

Код товара: 219120

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MJB45H11T4G
Производитель:
Описание Eng:
PNP 80V 10A
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
800 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40

Технические параметры

Тип транзистора

PNP

Напряжение Колл-Эмитт. Макс

80 В

Ток коллектора Макс.

10 А

Мощность Макс.

2 Вт

Коэффициент усиления hFE

40

Тип монтажа

Поверхностный

Граничная частота

40 МГц

Корпус

D2Pak (TO-263)

Вес брутто

2.02 г.

Описание MJB45H11T4G

Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

MJB45H11G Полный аналог Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Калининград

Доставка MJB45H11T4G , Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 824
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2242
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.