MJB44H11T4G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А

Код товара: 219118

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MJB44H11T4G
Производитель:
Описание Eng:
NPN 80V 10A
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
800 шт
Корпус:
D2PAK/TO263
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40

Технические параметры

Тип транзистора

NPN

Напряжение Колл-Эмитт. Макс

80 В

Ток коллектора Макс.

10 А

Мощность Макс.

2 Вт

Коэффициент усиления hFE

40

Тип монтажа

Поверхностный

Граничная частота

50 МГц

Корпус

D2PAK/TO263

Вес брутто

2 г.

Описание MJB44H11T4G

Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

MJB44H11G Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А, 50 Вт Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Калининград

Доставка MJB44H11T4G , Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 824
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2242
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.