LQW18AN8N2D00D, Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току

Код товара: 213648

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
LQW18AN8N2D00D
Примечание:
8.2nH 650mA
Описание Eng:
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
4000 шт
Корпус:
0603
Индуктивность:
8.2nH
Допуск:
±0.5nH
Максимальный ток:
650mA
Резонансная частота:
100MHz
Показать аналоги

Технические параметры

Индуктивность

8.2nH

Допуск

±0.5nH

Максимальный ток

650mA

Резонансная частота

100MHz

Корпус

0603

Вес брутто

0.04 г.

Описание LQW18AN8N2D00D

Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

AISC0603-8N2D-0.65A Полный аналог Индуктивность высокочастотная SMD 8.2нГн 0.65А Производитель: Shinhom Enterprise Co., Ltd

Способы доставки в Калининград

Доставка LQW18AN8N2D00D , Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.