LQW15AN5N6C10D, Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,2нГн 800мА 51мОм по постоянному току
5.6nH 800mA
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 5.6nH 0.2nH 100MHz 30Q-Factor Ceramic 800mA 51mOhm DCR 0402 T/
Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,2нГн 800мА 51мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,2нГн 800мА 51мОм по постоянному току
Артикул:
LQW15AN5N6C10D
Производитель:
Документы:
Сообщите мне о поступлении товара